Desarrollan fototransistor de grafeno a velocidad petahertz que funciona en condiciones ambientales

Un equipo internacional de científicos, incluyendo investigadores de la Universidad de Arizona, ha logrado desarrollar el primer fototransistor que opera a velocidades del orden de petahertz (un millón de billones de ciclos por segundo) en condiciones ambientales normales. Utilizando pulsos de luz ultrarrápidos y un efecto cuántico llamado túnel, lograron que los electrones atraviesen una barrera física casi instantáneamente en muestras modificadas de grafeno. Esto permite un control electrónico extremadamente rápido, con potenciales velocidades de procesamiento hasta mil veces superiores a las de los chips actuales. A diferencia de otros avances científicos que requieren condiciones especiales como bajas temperaturas o alta presión, este fototransistor funciona a temperatura ambiente, lo que abre la puerta a su comercialización y aplicación en la electrónica cotidiana. Los investigadores emplearon un láser que emite pulsos con una duración de 638 attosegundos para activar un transistor modificado con una capa especial de silicio. Esta innovación representa un salto significativo en la tecnología de hardware, complementando la rápida evolución del software, y podría acelerar desarrollos en áreas como inteligencia artificial, química, salud y exploración espacial. El equipo trabaja ahora para adaptar esta tecnología a equipos comercialmente accesibles, con la esperanza de integrar el transistor de petahertz en microchips.