Indra construye la primera fábrica española de chips de nitruro de galio para defensa y aplicaciones civiles

Indra ha iniciado la construcción de la primera fábrica española dedicada a la producción de chips de nitruro de galio (GaN), un semiconductor de gran relevancia tecnológica tanto en aplicaciones civiles como militares. Esta iniciativa representa un paso importante para la soberanía tecnológica de España y Europa, ya que permite reducir la dependencia de proveedores extranjeros en un mercado dominado por gigantes como TSMC y con una fuerte concentración de recursos estratégicos en China, que controla la mayor parte del suministro de galio. Los chips de GaN destacan por su alta densidad de potencia, capacidad de operar a voltajes elevados y resistencia térmica, lo que los hace esenciales para sistemas de defensa como radares de largo alcance, guerra electrónica y sensores avanzados, además de aplicaciones civiles en cargadores rápidos, cámaras y diodos LED azules. Aunque el arseniuro de galio (GaAs) ha sido tradicionalmente el material de referencia, el GaN ofrece ventajas significativas en potencia, eficiencia y robustez, permitiendo equipos más compactos y fiables. La fábrica de Indra permitirá a España situarse en la línea de salida de este mercado estratégico, asegurando capacidad de producción propia y fomentando la resiliencia de la cadena de suministro europea en tecnologías de doble uso civil y militar. Esta apuesta tecnológica también abre la puerta a futuras investigaciones y sustitutos de GaN y GaAs, reforzando la autonomía tecnológica frente a posibles tensiones geopolíticas.