China presenta transistor sin silicio: avance tecnológico y respuesta estratégica

Un equipo de investigadores de la Universidad de Pekín ha desarrollado un transistor bidimensional que prescinde del silicio, utilizando oxiselenuro de bismuto (Bi₂O₂Se) como material semiconductor y selenato de bismuto (Bi₂SeO₅) como dieléctrico de puerta. Este diseño emplea una arquitectura de transistor de efecto de campo de compuerta envolvente (GAAFET), lo que permite un control electrostático superior y reduce significativamente las fugas de corriente. Las pruebas de laboratorio indican que este transistor opera hasta un 40% más rápido y consume un 10% menos de energía que los chips de 3nm más avanzados de Intel, TSMC y Samsung.

La investigación, publicada en la revista Nature Materials, también destaca la integración monolítica tridimensional (M3D) a baja temperatura, que permite apilar múltiples capas de transistores sin comprometer la calidad cristalina ni la compatibilidad con las infraestructuras de fabricación existentes. Este enfoque posibilita una mayor densidad de integración y abre la puerta a circuitos más compactos y eficientes.

Este avance no solo representa una innovación tecnológica, sino también una respuesta estratégica a las restricciones impuestas por Estados Unidos sobre el acceso de China a tecnologías avanzadas de semiconductores. Al desarrollar una tecnología de transistores independiente del silicio, China busca reducir su dependencia de proveedores extranjeros y fortalecer su autonomía en el sector tecnológico. Sin embargo, aún se trata de un experimento de laboratorio, y su aplicación a gran escala enfrenta desafíos en términos de industrialización y disponibilidad de materiales.