Investigadores chinos desarrollan una memoria flash no volátil ultrarrápida basada en grafeno

Un equipo de investigación de la Universidad de Fudan ha desarrollado el dispositivo de memoria semiconductor más rápido registrado hasta ahora, denominado PoX. Este tipo de memoria flash no volátil es capaz de escribir un bit en tan solo 400 picosegundos, lo que equivale a aproximadamente 25 mil millones de operaciones por segundo. Esta velocidad supera con creces a las memorias flash tradicionales, que operan en escalas de micro a milisegundos, y se aproxima al rendimiento de memorias volátiles como SRAM y DRAM, pero con la ventaja de conservar los datos sin energía. El avance fue logrado mediante el uso de grafeno de Dirac bidimensional en lugar de canales de silicio tradicionales, lo que permitió un transporte balístico de carga extremadamente eficiente. La innovación permite la inyección supercargada de electrones a través de un mecanismo conocido como superinyección bidimensional, eliminando los cuellos de botella típicos de la memoria no volátil. Además de su velocidad récord, PoX promete bajo consumo energético y retención de datos sin alimentación, lo que lo hace ideal para hardware de inteligencia artificial, sistemas embebidos y dispositivos de bajo consumo. Este desarrollo tiene implicaciones estratégicas para la industria tecnológica china y podría rediseñar el panorama de almacenamiento si se logra su producción a escala.