Investigadores chinos desarrollan un chip basado en bismuto más eficiente que los de silicio

Un equipo de investigadores de la Universidad de Pekín ha desarrollado un transistor basado en bismuto que ofrece un rendimiento un 40% superior y un consumo energético un 10% menor en comparación con los chips de silicio más avanzados de 3 nanómetros. Este nuevo diseño emplea materiales 2D como Bi2O2Se y Bi2SeO5, que mejoran la movilidad electrónica y reducen las fugas de corriente.

La arquitectura utilizada, GAAFET, es más eficiente que la tradicional FinFET, lo que permite superar las limitaciones del silicio en términos de disipación térmica y escalabilidad. La investigación surge en respuesta a las restricciones tecnológicas impuestas a China, impulsando la innovación en semiconductores dentro del país.

Los primeros experimentos han validado la viabilidad de esta tecnología mediante cálculos de teoría funcional de la densidad (DFT). Si logra escalarse a nivel industrial, podría mejorar la sostenibilidad del sector tecnológico al reducir el consumo energético y la dependencia del silicio, cuya extracción y procesamiento tienen un alto impacto ambiental. Este avance sitúa a China a la vanguardia del desarrollo de una nueva generación de chips más eficientes y sostenibles.