China afirma probar en laboratorio un prototipo de máquina EUV, con posibles implicaciones para la industria de semiconductores

El artículo detalla que, según fuentes cercanas a Reuters, China habría desarrollado un prototipo funcional de una máquina de litografía EUV y que se encuentra actualmente en fases de prueba. Se sugiere que el prototipo ha sido construido a partir de componentes de segunda mano adquiridos en mercados de recambio y que su tamaño habría igualado el de máquinas EUV modernas de alta NA usadas por ASML. Huawei lidera la iniciativa, con un plan estratégico para construir una cadena de suministro de IA y semiconductores dentro del país. Se mencionan avances en Ca nualan, Dongguan, utilizando una tecnología de plasma inducido por láser (LDP) para generar la luz EUV, que, en teoría, podría presentar ventajas frente a la técnica de plasma generado por láser (LPP) de ASML. El texto también advierte sobre desafíos técnicos pendientes, como resolución, estabilidad de rendimiento y la integración en procesos de fabricación ya establecidos. Aunque se describe como un progreso notable, el artículo subraya la necesidad de demostrar que la máquina puede producir obleas de forma consistente, mantener la calidad de la litografía y competir en costos a gran escala. En resumen, se percibe como un avance significativo para la autosuficiencia tecnológica china, pero con incertidumbres técnicas y regulatorias por solventar antes de una adopción amplia fuera de China.